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压力敏感芯片研发取得阶段性成果

2023年02月09日 19:42:22 来源: 中国化学十四化建

  2023年2月初,复工伊始即从中国化学工程第十四建设有限公司混改三级企业中化天康公司传来好消息,该企业“SOI硅压阻式压力敏感芯片”项目取得了阶段性进展,实现了产品工艺的自主研发,大大缩短了研发周期,降低了成本,有效确保了产品的一致性。

  据介绍,该芯片为新型高温压力芯片,通过将敏感电阻做在绝缘层上,实现电阻间的电气隔离,解决传统的PN结隔离压力芯片工作温度高于125℃时的失效问题,有效改善PN隔离引起的非线性问题,当选用高温多层金属电极时,工作温度最高可达到300度。同时,该芯片性能良好,常温下,非线性误差均在0.1%以下,具有良好的输出特性;适用温度范围宽,能够适应150℃和-50℃的高、低温极限环境,且电压输出稳定。此外,该芯片作为压力传感器核心元件,相比于常规的扩散硅压力传感器,具有更好的稳定性,长期稳定性可达到0.1%FS/年。

  目前,中化天康已建成一条完整的MEMS压力传感器芯体研发产线,可完成整个生产工艺。(张利萍)

[编辑: 王玥 ]
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